可硅基异质外延，贝塔碳化硅打通 8–12 英寸大尺寸 SiC 晶圆路线

三代半导体材料赛道持续迭代，β‑SiC（3C‑SiC，立方相贝塔碳化硅） 凭借可在硅晶圆上异质外延生长的独特特性，成为解决大尺寸 SiC 晶圆成本瓶颈的重点方向。 β‑SiC 为立方闪锌矿结构，禁带宽度约 2.36 eV，电子迁移率优于 4H‑SiC，可实现超高浓度掺杂，电阻率能够做到 0.5 mΩ・cm 以下，非常适配 600V 以内中低压功率器件；区别于 4H‑SiC 只能小尺寸单晶生长，β‑SiC 可直接在 8 英寸、12 英寸硅衬底上 CVD 外延，兼容现有硅产线设备，大幅降低大尺寸 SiC 薄膜制备门槛中国科学院...。 当前主要应用方向分为两大类：
✅ 功率器件：β‑SiC 肖特基二极管 SBD、MOSFET，用于 DC‑DC 电源、车载低压变换器、电机驱动；4H/3C‑SiC 复合衬底方案，利用 3C‑SiC 低阻层降低器件比导通电阻，是近年国内科研机构重点突破路线中国科学院...。
✅ 半导体装备零部件：高纯致密 β‑SiC 陶瓷用于 ESC 静电吸盘、外延基座、等离子刻蚀环、腔体内衬，耐氟氯等离子腐蚀、导热均匀、释气低、颗粒控制优异，是晶圆制造高端耗材；高纯 β‑SiC 微粉用作 SiC 溅射靶材、单晶生长前驱体。 同时 β‑SiC 具备耐高温、抗辐照能力，可开发高温集成电路、紫外光电探测器、短波光电器件，面向航天、核电子等严苛工况。 行业现状：4H‑SiC 仍是高压车规主流量产方案；β‑SiC 目前以研发、小批量验证为主，随着外延缺陷控制技术持续突破，有望在低压高频、大尺寸晶圆、半导体设备配件市场快速放量。