99.9% 贝塔碳化硅 β-SiC 立方碳化硅纳米粉
99.9% β‑SiC 贝塔碳化硅，又称立方碳化硅（3C‑SiC）纳米粉。区别于六方 α 碳化硅，本品为立方晶系，等轴晶体结构，颗粒球形度佳、自锐性优异。生产方式：采用无线微热源法合成，纯度可达 99.9%，粉体细化均匀，可稳定制备纳米级粉料。
特点：相比 α 相碳化硅，它维氏硬度更高（2500–2900kg/mm²），导电、导热、红外吸收性能更突出，烧结活性强，可低温烧结，制备高致密碳化硅陶瓷。
适用于精密研磨抛光、碳化硅陶瓷烧结、复合涂层、树脂改性、隔热材料、电热元件等领域。
99.9% 贝塔碳化硅 β-SiC 立方碳化硅纳米粉 特性：
碳化硅的纯度更高，立方碳化硅的合成工艺采用无线微热源法生产，可以将碳化硅粉体提纯至99-99.99%之间。
立方碳化硅制成温度低于六方碳化硅，其颗粒更容易细化和均化，因此可以备制精细度达到纳米级的粉体。
立方碳化硅在高温下的导电性能、导热性能、吸收红外波的能力比α碳化硅高好几倍，适用于电工材料例如发热器、热交换器等材料，提高产品的抗热震性能。
立方碳化硅的硬度和耐磨性比α碳化硅高，维氏硬度可达2500-2900kg/mm2。
立方碳化硅粉体颗粒表面光洁度和球形度优于α碳化硅。用于研磨使研磨对象的表面光洁度更高。
β相碳化硅在1800°温度下即可结晶，比α碳化硅的烧结活性强。用于生产烧结碳化硅陶瓷，可以在比普通烧结工艺更低的温度下烧结。烧结陶瓷的致密性也更好。
99.9% 贝塔碳化硅 β-SiC 立方碳化硅纳米粉 主要技术指标：
晶体结构 立方晶系
晶相 β相
熔点 2700°
分解温度 2830°±40°
热膨胀系数（100°） 6.58 x10-6 /°C
热膨胀系数（-100°） 2.98 x10-6 /°C
热导率 0.063-0.096 J/（cml.s.k）
莫氏硬度 9.25-9.6
维氏硬度（显微硬度） 2500-2900kg/mm2
磁化率 -12.8x10-6
压缩系数 0.21x10-6
外观颜色 墨绿色
中值粒径D50（nm） 50
碳化硅含量（%） ≥99.9
Ca (ppm) ≤20
Al (ppm) ≤20
Fe (ppm) ≤20
其他纯度、粒度等规格可根据用户要求提供定制服务
99.9% 贝塔碳化硅 β-SiC 立方碳化硅纳米粉 的应用
99.9% 贝塔碳化硅 β-SiC 立方碳化硅纳米粉 的应用
1. 精密研磨 & 抛光
精密抛光液、抛光浆料；光学镜片、蓝宝石、陶瓷基板、半导体衬底、硬质合金、晶体材料精细研磨。颗粒球形度好、自锐性佳，加工后工件表面光洁度高。
2. 先进碳化硅陶瓷
低温烧结碳化硅陶瓷、结构陶瓷、耐磨陶瓷件、密封环、防弹陶瓷、耐高温陶瓷构件。烧结活性远高于 α-SiC，低温烧结即可实现高致密度，降低烧结成本。
3. 复合材料 & 涂层
复合耐磨涂层、耐高温防腐涂层、吸波涂层、红外吸收涂层；陶瓷基复合材料增韧相。
4. 树脂 / 高分子改性
填充改性环氧树脂、工程塑料、橡胶，提升基材耐磨、导热、刚性、抗老化性能。
5. 导热、隔热、电工电热材料
导热填料、隔热复合材料、电热元件、热交换器件；导电、导热、红外吸收性能优于普通 α 碳化硅，提升材料抗热震性能。
6. 其他
特种耐火材料、粉体改性、实验室科研、第三代半导体相关前驱粉体。
