采用无线微热源法制备，纯度稳定 99.9% (3N) 99.99%(4N) 99.999%(5N)，粉体粒径均匀、分散性好，相比常规六方 α 碳化硅，维氏硬度更高，耐磨性能突出。β‑SiC 烧结活性远优于 α 相碳化硅，可实现低温烧结，轻松制备高致密碳化硅结构陶瓷，降低烧结能耗。
同时导电、导热与红外吸收性能更佳，材料抗热震表现优秀。
近球形颗粒在研磨抛光时不易划伤工件，适合配制抛光浆料，用于光学镜片、蓝宝石、半导体衬底、硬质合金等精密抛光场景。 广泛用作精密研磨抛光原料、低温烧结碳化硅陶瓷、耐磨防腐复合涂层、树脂高分子改性填料、隔热电热功能材料以及陶瓷基复合材料增韧相。
| 项目 Item | 参数 Value |
|---|---|
| 晶体结构 Crystal Structure | 立方晶系 Cubic |
| 晶相 Phase | β 相 β-phase |
| 熔点 Melting Point | 2700 ℃ |
| 分解温度 Decomposition Temp. | 2830 ℃ ±40 ℃ |
| 热膨胀系数（100 ℃）CTE | 6.58 × 10⁻⁶ /℃ |
| 热膨胀系数（−100 ℃）CTE | 2.98 × 10⁻⁶ /℃ |
| 热导率 Thermal Conductivity | 0.063–0.096 J/(cm・s・K)（约 6.3–9.6 W/(m・K)） |
| 莫氏硬度 Mohs Hardness | 9.25–9.6 |
| 维氏硬度 Vickers Hardness | 2500–2900 kg/mm² |
| 磁化率 Magnetic Susceptibility | −12.8 × 10⁻⁶ |
| 压缩系数 Compressibility | 0.21 × 10⁻⁶ |
| 外观颜色 Appearance | 墨绿色 Dark green |
| 中值粒径 D50 Median Size | 50 nm |
| SiC 含量 Purity | ≥99.9 % |
| Ca 钙 | ≤20 ppm |
| Al 铝 | ≤20 ppm |
| Fe 铁 | ≤20 ppm |
性能：纯度≥4N，流动性能好，粒度分布集中。
外观：土黄色，近球形。
用途：广泛用于半导体、光伏、军工等碳化硅陶瓷领域。
