高压二极管 高压硅堆里芯片喷砂用绿碳320目 1200目

1. 核心目的：表面钝化与清洁

• 移除损伤层：去除切割和研磨带来的晶体损伤。
• 清洁表面：清除附着污染物。
• 形成均匀纹理：为后续的玻璃钝化或塑料封装提供理想、洁净、具有微粗糙度的附着面。

2. 为什么用“绿碳化硅”？

• 硬度高：碳化硅（SiC）莫氏硬度高达9.5，仅次于金刚石和立方氮化硼，能有效切削硅表面。
• 脆性适中：颗粒在冲击时会破碎，形成新的锋利棱角，具有“自锐”效果，切削效率高且稳定。
• 化学纯度：绿碳化硅比黑碳化硅纯度更高，杂质（尤其是金属杂质）含量极低，避免污染半导体芯片。
• 导热性好：有助于散热。

3. 为什么用“320目”和“1200目”两种粒度？—— 两步工艺法

• 角色：粗加工/整形。
• 目的：快速、有效地移除前道工序（如切片、磨片）留下的主要损伤层和宏观不平整。它决定了材料去除率和表面的大致形貌。
• 效果：处理后表面相对粗糙，但已去除大部分深层缺陷。

• 角色：精加工/平滑化。
• 目的：
  1. 移除上一步（320目）造成的新的、较浅的损伤层。
  2. 大幅降低表面粗糙度，平滑由粗砂留下的沟槽和峰谷。
  3. 形成均匀、细腻、可控的微粗糙表面，这个表面是后续钝化层完美附着的关键。
• 效果：得到洁净、均匀、损伤极小的表面，为最终的高压性能打下基础。

4. 工艺关键控制参数

• 空气压力：压力大小直接影响冲击力和切削深度。压力过高可能导致新的微裂纹，过低则效率不足。
• 喷砂距离和角度：影响均匀性。
• 磨料流速：与空气压力共同决定单位时间的切削量。
• 喷砂时间：对每个芯片的曝光时间需精确控制，以达到目标去除深度。
• 环境洁净度：必须在高洁净度环境中进行，防止二次污染。

5. 对高压器件性能的最终影响

• 反向耐压显著提高且稳定：消除了导致提前击穿的薄弱点。
• 反向漏电流大幅降低：减少了载流子产生-复合中心。
• 长期可靠性提升：良好的表面质量使钝化层（如玻璃釉）结合更牢固，抗潮湿、抗离子迁移能力更强，高温反向偏置（HTRB）寿命更长。
• 参数一致性更好：批量化生产时，器件之间的性能离散性更小。

总结