碳化硅在半导体方面的应用

碳化硅在半导体方面的应用 
研磨盘、夹具均是半导体工业中硅晶片生产的重要工艺装备。研磨盘若使用铸铁或碳钢材料，其使用寿命短、热膨胀系数大，在加工硅晶片过程中，特别是高速研磨或抛光时，由于研磨盘的磨损和热变形，使硅晶片的平面度和平行度难以保证。采用碳化硅陶瓷的研磨盘由于硬度高而磨损小，且热膨胀系数与硅晶片基本相同，因而可以高速研磨抛光。 

另外，在硅晶片生产时，需要经过高温热处理，常使用碳化硅夹具运输，其耐热、无损，可在表面涂敷类金刚石（DLC）等涂层，可增强性能，缓解晶片损坏，同时防止污染扩散。 
此外，作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅单晶材料具有禁带宽度大（约为Si的3倍）、热导率高（约为Si的3.3倍或GaAs的10倍）、电子饱和迁移速率高（约为Si的2.5倍）和击穿电场高（约为Si的10倍或GaAs的5倍）等性质。SiC器件弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。