随着半导体技术的发展，等离子刻蚀逐渐成为半导体制造工艺中广泛应用的技术。等离子刻蚀产生的等离子具有很强的腐蚀性，在刻蚀晶圆的过程中也会对工艺腔体和腔体中的元件造成严重的腐蚀。因此，半导体加工设备中与等离子接触的部件需要具有更好的抗等离子刻蚀能力。
与有机和金属材料相比，陶瓷材料一般具有更好的物理和化学腐蚀性能和较高的工作温度。因此，在半导体行业，多种陶瓷材料成为半导体单晶硅片的制造工艺和前端。加工过程中设备核心部件的制造材料，如SiC、AlN、Al2O3和Y2O3等。等离子环境下陶瓷材料的选择取决于核心部件的工作环境和工件的质量要求。工艺产品，如等离子刻蚀性能、电性能、绝缘等。采用陶瓷材料的等离子刻蚀设备的主要部件有视窗镜、静电吸盘、聚焦环等。
其中，聚焦环的主要目的是提供均匀的等离子，用来保证刻蚀的一致性和准确性。同时，它需要具有类似于硅片的导电性。作为常用的聚焦环材料，导电硅几乎接近硅片的导电率，但缺点是在含氟等离子体中耐蚀刻性较差，蚀刻机零件经常使用一段时间。腐蚀现象严重降低其生产效率。除了具有与硅相似的导电性外，碳化硅还具有良好的抗离子蚀刻性，使其成为比导电硅更适合的聚焦环材料。
SiC因其优异的性能被广泛用于半导体加工设备部件。例如，碳化硅具有优异的耐高温性能，广泛用于各种沉积设备的核心部件。碳化硅具有优良的导热性和导电性，与Si晶片相匹配，用作聚焦环材料，而SiC具有更优异的耐等离子刻蚀性能，是一种优良的候选材料。
有研究人员研究了碳氟等离子体对碳化硅的刻蚀机理，他们的结论表明，碳氟等离子体对碳化硅进行刻蚀后，其表面会发生一系列化学反应，形成一层薄薄的氟碳聚合物薄膜。 ，它可以阻止活性氟基等离子体进一步与基板发生反应，因此它比Si具有更好的等离子体抗蚀刻性。
